金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

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利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb—Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2eV.在低温退火后,Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1ev.Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1e
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