论文部分内容阅读
自从上世纪90年代至今,人们一直致力于第三代半导体——宽带隙半导体的研究,其基本应用在紫外一蓝紫波段的短波长发光器件,主要包括发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)。宽带半导体LEDs不仅具有节能、寿命长等优点,而且是一种高温、高功率器件,应用广泛,有着数百亿的巨大市场。目前,在短波长LEDs领域,