Alq3厚度以及沉积速率对OLED性能的影响

来源 :液晶与显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leilei2740

【摘要】

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以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器.通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确

【作者】

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牟强张麦丽张方辉

【机构】

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电子科技大学

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

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OLED ALQ3 厚度沉积速率 OLED Alq3 thickness deposit speed

【基金项目】

：

中国科学院资助项目，陕西省教育厅资助项目

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以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器.通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确定了Alq3层的厚度为65 nm,沉积速率为0.3 nm/s,得到起亮电压为3.01 V、发光亮度为12 800 cd/m2、发光效率达到4.421 cd/A的器件,并对其影响因素进行了分析.

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