【摘 要】
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报道了一种用于制作高速数字及混合模拟/数字LSI/VLSI集成电路的平面离子注入自对准栅技术。采用增强型(e-型)n~+-(Al,Ga)As/MODFET,超晶格MODFET及掺杂沟道异质结构场效应晶
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报道了一种用于制作高速数字及混合模拟/数字LSI/VLSI集成电路的平面离子注入自对准栅技术。采用增强型(e-型)n~+-(Al,Ga)As/MODFET,超晶格MODFET及掺杂沟道异质结构场效应晶体管(DCHFET),实现了4位模-数转换器,2500门8×8乘法器/累加器和4500门16×16复数乘法器,其外延层采用的是分子束外延生长。利用标称栅长1μm的器件,已做出有实际电路结构的直接耦合场效应逻辑(DCFL)环形振荡器,其传播延迟为30ps/级,功耗为1.2mW/级。在LSI电
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