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在用二次离子质谱（SIMS）进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时，有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高，接近10^16atom／cm^3的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离，硼浓度就降到正常范围〈1×10^14atom／cm^3。按重掺砷硅单晶制备工艺过程，硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的，而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n／n^＋外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。