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用大束流密度的钇金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的东层硅化物。随束流密度的增加，硅化钇生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降，当束流密度为０．５Ａ／ｍ＾２时〈Ｒｓ达到最小值５４Ω／□，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了二种硅化钇ＹＳｉ和ＹＳｌ２。透射电子显微镜观察表明，当束流密度为０．５Ａ／ｍ＾２时，连续硅化钇薄层已经形成，硅化钇薄层厚度８０ｎｍ，但是在硅化钇层下有高密度