【摘 要】
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美国HRL实验室近日公布了一项新型GaN高频功率放大器的研究成果,这项研究将大大推动今后宽带无线接入技术的发展。这是第一个W波段的GaN毫米波单片集成电路,它的功率密度可达
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美国HRL实验室近日公布了一项新型GaN高频功率放大器的研究成果,这项研究将大大推动今后宽带无线接入技术的发展。这是第一个W波段的GaN毫米波单片集成电路,它的功率密度可达2.1W/mm,远远超过同等类型InP的0.26w/mm。这个高性能芯片利用等离子体分子束外延技术生成高掺杂GaN和A
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