论文部分内容阅读
采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP--MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10﹪稀释在H<,2>中的H<,2>Se和H<,2>S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS-ZnSe超晶格多量子阱结构.