【摘 要】
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以三氯甲基硅烷-氢气-氮气(MTS-H2-N2)为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备碳化硅涂层,分析了工艺参数对碳化硅沉积速率的影响,通过扫描电子显微
【基金项目】
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国家自然科学基金(21676163,5160218),航空科学基金(2016ZFS6001)
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以三氯甲基硅烷-氢气-氮气(MTS-H2-N2)为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备碳化硅涂层,分析了工艺参数对碳化硅沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面碳化硅涂层的微观形貌和晶型结构,并分析了MTS热解和沉积碳化硅过程中主要气相组分的变化。在850-1050℃的范围内,随着沉积温度的提高,碳化硅沉积速率先增大后减小,温度为1000℃时,碳化硅沉积过程由表面反应控制转变为质量传输控制;随着反应物分压逐渐升高至30 kPa,碳化
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