三硼酸锂晶体Ⅰ类非临界相位匹配下近红外波段的差频产生

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利用差频发生器产生波长范围为1.1-2.2μm的可调谐近红外激光.实验搭建了差频光路系统,以0.56-0.71μm染料激光器作为泵浦光、1.064μm的半导体激光器作为信号光,经过三硼酸锂晶体在Ⅰ类相位匹配方式条件下通过温度调谐非临界相位匹配方式差频产生较高功率的近红外激光,在近红外波段测得其平均输出功率在30mW以上.泵浦光功率为1.2 W、信号光功率为0.31 W时,测得差频波长为1.54μm的输出功率为35mW,转化效率达11.7%.该近红外差频发生器具有宽调谐、窄线宽的特点.
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