【摘 要】
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针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
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针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W.在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100 μs、占空比为20％、输入功率为6W的测试条件下,实现输出功率达到1 330W,增益23.5 dB,漏极效率74.4％,电压驻波比10∶1.该晶体管已实现工程应用.
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