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本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括Si/SiO_2-SiO_2/Si,Si-石英,GaAs-玻璃等的键合。利用各种检测手段对键合材料的键合面积、键合强度、界面形貌及电学特性进行了测试。文中还讨论了场助键合机理、等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例。