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利用新改进的水平低压热壁CVD设备，改变生长时的压力和H2流速，在50mm的Si（100）和（111）衬底上获得了3C-SiC外延膜，并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析．X射线衍射图中出现了强的3C-SiC的特征峰，其中3C-SiC的（200）和（111）峰的半高宽分别为0．41°和0．21°．3C-SiC外延膜方块电阻的均匀性最好可达2．15％．厚度均匀性可达±5．7％（σ／mean值）．