【摘 要】
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Ⅱ—Ⅵ族化合物ZnSe是当前研究得比较活跃的一种宽禁带发光材料。目前对ZnSe的电致发光和光致发光性质研究得较多,而对其电学性质的研究报导的较少。其原因大概是因为生长出
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Ⅱ—Ⅵ族化合物ZnSe是当前研究得比较活跃的一种宽禁带发光材料。目前对ZnSe的电致发光和光致发光性质研究得较多,而对其电学性质的研究报导的较少。其原因大概是因为生长出来的ZnSe单晶一般都是n型高阻材料(室温下的电阻率大约都在109～1012Ωcm),即使在生长过程中引入杂质,但由于自补偿效应其电阻率仍然很高。M.Aven等人从1962年起在这方面做了大量的工作,G.Jones和J.Woods在1974年报导了他们对掺Ga,In,Cl和Al的ZnSe材料的测试结果。
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