【摘 要】
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采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光
【机 构】
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武汉工程大学光学信息与模式识别湖北省重点实验室,华中科技大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:51902227,11574241);华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室开放课题研究基金(批准号:P2020-021)资助~~
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采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光探测性能,结果表明,在808 nm的近红外光辐照下,其光响应度为1. 5 A/W,外量子效率为230%,可探测度为3. 1×108Jones(1 Jones=1 cm·Hz1/2·W-1),上升和衰减时间分别为0. 5和0. 8 s.
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