【摘 要】
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GaN:Eu3+作为红光发射材料,在GaN基单片集成全色显示器件应用方面具有很大的潜力.目前的研究重点是如何进一步调控和优化GaN:Eu3+材料的发光特性,促使其迈向实用阶段.本文主
【机 构】
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苏州科技大学数理学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,江苏苏州215009;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123
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GaN:Eu3+作为红光发射材料,在GaN基单片集成全色显示器件应用方面具有很大的潜力.目前的研究重点是如何进一步调控和优化GaN:Eu3+材料的发光特性,促使其迈向实用阶段.本文主要从生长调控,Mg2+、Zn2+、Si4+元素共掺调控,其他稀土元素共掺调控等方面综述了GaN:Eu3+材料发光特性的研究进展,比较各调控方法的应用潜力,指出GaN:Eu3+材料今后的研究重点,并对该领域的发展趋势进行了展望.
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