SiC Systems开发出生产大尺寸SiC晶体新工艺

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SiC业界又多了一家参与者。这家名为“SiC体系”(SiC Systems)的美国公司表示,今年晚些时候其6英寸3C-SiC晶片将进入衬底市场。这家组建于2007年7月的SiC Systems公司称,由于一家小型企业的资助,他们已开发出一项经济的器件生长工艺。该公司的第三创建人兼首席执行官K.Whelan称 SiC industry has one more participant. The U.S. company, called SiC Systems, said its 6-inch 3C-SiC wafers will enter the substrate market later this year. The SiC Systems company, formed in July 2007, said it has developed an economical device growth process thanks to the funding of a small business. K.Whelan, the company’s third founder and chief executive officer, said
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