【摘 要】
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以氮化物为代表的第三代半导体材料,在发光二极管1,2、激光二极管3、紫外辐射源4、高频功率电子学5,6等领域具有广阔的应用前景。目前,制备第三代半导体材料的常用方法是金属
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以氮化物为代表的第三代半导体材料,在发光二极管1,2、激光二极管3、紫外辐射源4、高频功率电子学5,6等领域具有广阔的应用前景。目前,制备第三代半导体材料的常用方法是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,常用的衬底主要包括蓝宝石、硅、碳化硅等。但是,在材料异质外延过程中,衬底与半导体薄膜之间较大的晶格失配和热失配会导致材料中应力的积累以及缺陷密度的升高。除此之外,在材料岛状拼接生长过程中,在拼接界面处会引入大量的缺陷结构7。
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