中子辐照SiC晶格肿胀及退火回复机理研究

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为研究辐照缺陷产生及其热稳定性,对SiC晶体实施了不同通量中子辐照。利用高分辨X射线衍射和单晶X射线衍射研究了中子辐照6H-SiC晶体的肿胀效应以及退火对肿胀的回复作用。研究结果表明,SiC晶体经中子辐照后产生的主要缺陷是点缺陷,中子辐照通量越大,SiC晶体肿胀效应越显著。在2.85×10^(24)n/m^(2)辐照通量下,SiC晶体未出现非晶化。高温退火可使肿胀的SiC晶格回复,1450℃退火275 min晶胞参数回复至辐照前水平。退火过程晶胞体积回复符合一级反应方程,利用等温退火方法计算分析
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