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复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。
中国科学家研制出首个半浮栅晶体管
【摘 要】
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复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2013年4期
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