【摘 要】
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本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、
【机 构】
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华南理工大学无线电工程系,华南理工大学无线电工程系,华南理工大学无线电工程系,
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本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值的测量等。实验结果表明,激光荧光检测为Ⅲ—V族半导体材料的研究提供了一种快速的非破坏性的检测方法,对研究透射式负电子亲和势光电阴极具有重要意义。
In this paper, the non-destructive testing of III-V semiconductor substrates used as transmissive negative electron affinity photocathodes was studied. A set of laser fluorescence measurement system with high signal-to-noise ratio (SNR) was set up. The doping concentration of GaAs, the compositional X value of Gal_ (- x) Al_xAs and the X value Uniformity, high X value of the measurement. The experimental results show that laser fluorescence detection provides a fast and non-destructive method for the study of III-V semiconductor materials, and is of great significance for the study of transmissive negative electron affinity photocathode.
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