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研究了以氧化亚铜为基，添加以金属铜作为导电组元的金属陶瓷的制备工艺，随着压制压力的增加和烧结时间的延长，所制备材料的密度呈规律性地递增，合理的工艺参数为P≥300MPa,t=10h至20h，烧结粉末体中含w(Cu)达30％时，其密实化过程及动力学曲线与粉末材料的已知规律拟合得非常好。
Cu2O—Cu系金属陶瓷制备工艺研究
【摘 要】
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研究了以氧化亚铜为基，添加以金属铜作为导电组元的金属陶瓷的制备工艺，随着压制压力的增加和烧结时间的延长，所制备材料的密度呈规律性地递增，合理的工艺参数为P≥300MPa,t=10h
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨工业大学材料学院
【出 处】
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材料科学与工艺
【发表日期】
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1999年1期
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