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分析了ＭＺＯＳ结构及其Ｓｉ－ＳｉＯ２子系统的Ｃ－Ｖ特性，发现ＺｎＯ中的氧空位和溅射工艺过程在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面引入的界面电荷是影响ＭＺＯＳ结构界面特性的主要因素。研究还表明，低温热退火可以改善ＭＺＯＳ结构的界面特性。
MZOS结构界面特性的研究
【摘 要】
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分析了ＭＺＯＳ结构及其Ｓｉ－ＳｉＯ２子系统的Ｃ－Ｖ特性，发现ＺｎＯ中的氧空位和溅射工艺过程在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面引入的界面电荷是影响ＭＺＯＳ结构界面特性的主要因素。研究还表明，低温热退火可以改善ＭＺＯＳ结构的界面特性。
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,东南大学电子工程系,四川压电与声光技术研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1993年6期
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