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采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了单斜m-BiVO4与四方t-BiVO4的电子结构和光学性质.计算结果表明:m-BiVO4为间接带隙半导体,禁带宽度为2.171 e V,t-BiVO4为直接带隙半导体,禁带宽度为2.644 e V;m-BiVO4与t-BiVO4均可吸收紫外光及可见光,m-BiVO4还可以吸收部分红外光.