有机半导体在金属Ru(0001)上的界面特性研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:thonny007
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利用UPS与ARUPS对有机半导体材料 5 (N 正丁基 3,4 ,9,10 四甲酸亚酰胺 N’ 苯基 ) 10 ,15 ,2 0 三苯基卟啉在Ru(0 0 0 1)上的界面特性进行了研究 .研究结果表明 ,在Ru(0 0 0 1)表面上 ,与有机半导体材料价带电子轨道有关的谱峰分别位于费米能级以下 4 5 ,6 8和 9 2eV处 ,其最高占据态 (价带顶位置 )位于费米能级以下 1 5eV处 .在衬底温度低于 2 0 0℃时 ,该有机半导体材料能够在Ru(0 0 0 1)上稳定吸附 ,在Ru(0 0 0 1)上的脱附开始于在 2 0 0℃ .ARUPS结果显示 ,构成该材料分子的卟啉和两个稠环不在同一个平面内 ,即该材料分子中的两个稠环平面成一定的夹角 ,至少有一个稠环平面与衬底表面不平行 The organic semiconductor material 5 (n-butyl 3,4,4,10,10 tetracarboxylic acid imide N ’phenyl) 10,15,15,20 triphenylporphyrin in Ru (0 0 0 1) On the surface of Ru (0 0 0 1), the peaks related to valence band electron orbits of organic semiconductors are located at 45, 68 and 9 2 eV below the Fermi level, respectively , The highest occupied state (valence band top) is located at 15 eV below the Fermi level.The organic semiconducting material can stably adsorb on Ru (0 0 0 1) when the substrate temperature is below 200 ℃ , And the desorption on Ru (0 0 0 1) started at 200 ° C. The results of ARUPS showed that the two condensed rings of porphyrin and  constituting the material molecule are not in the same plane, that is, in the material molecule The two fused ring planes form a certain angle, and at least one of the fused ring planes is not parallel to the surface of the substrate
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