非定向氧化锌纳米线阵列的场发射

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：ronglao2009

【摘要】

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使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列.经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点.在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的

【作者】

：

陈亮张耿民王鸣生

【机构】

：

北京大学信息科学技术学院电子学系

【出处】

：

北京大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

氧化锌纳米线场发射场发射中心分布屏蔽效应 Zinc oxide nanowires field emission emission site dist

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使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列.经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点.在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20 nm之间.考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下.然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性.在5.5 V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布.

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