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英飞凌科技面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFETN沟道器件Opti MOS-T2，在IOV栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0．9毫欧。采用D2PAK．7封装的IPB180N03S4L—H0，可满足客户对标准封装功率MOSFET的需求：
英飞凌30V车用MOSFET
【摘 要】
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英飞凌科技面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFETN沟道器件Opti MOS-T2，在IOV栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0．9毫欧。采用D2PAK．7封
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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2010年9期
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