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利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛保护下进行退火处理制备出P型多晶硅薄膜，研究了不同厚度的金属铝膜和热处理温度对非晶硅薄膜的微观结构、表面形貌的影响。实验结果表明：铝膜相对厚度越厚，对a—Si的晶化诱导效果则越好，在一定温度条件下，相对较厚的铝膜可以缩短a—Si晶化为polv-Si的时间，并且能使a—Si的晶化更加完整，产生尺寸较大的硅晶颗粒。在铝膜厚度相同，退火温度相同的条件下，热处理的时间越长，则晶化发生的程度越深，晶化越为彻底。