【摘 要】
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一、器件制造已有一种工艺用于在InSb上制造多层金属-绝缘体结构,并已能制造InSb CCD、多元MIS探测器阵列、MOS场效应管和其他MIS器件。制造器件的原材料是掺碲的InSb单晶,
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一、器件制造已有一种工艺用于在InSb上制造多层金属-绝缘体结构,并已能制造InSb CCD、多元MIS探测器阵列、MOS场效应管和其他MIS器件。制造器件的原材料是掺碲的InSb单晶,其施主浓度为4×10~(14)/厘米~3～1×10~(15)/厘米~3。本文报导的器件均是采用标
Device Manufacturing There has been a process for fabricating multi-layer metal-insulator structures on InSb and has been able to fabricate InSb CCDs, multiple MIS detector arrays, MOS FETs and other MIS devices. The material of the device is made of a tellurium-doped InSb single crystal with a donor concentration of 4 × 10 14 / cm 3 to 1 × 10 15 / cm 3. Devices reported in this article are used standard
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