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提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm~2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。