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采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm／s、次带吸收系数（α0.8eV）小于2．5cm^-1且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜，然而将其应用在微晶硅电池中时，电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V，量子效率（QE）和微区拉曼（Raman）测试发现，微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层，阻碍了载流子的输运，使电池的长波光谱响应下降，