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采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法，在局域密度近似（ LDA）下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si／SiO2界面电子结构及光学性质的影响．电子结构计算结果表明：在0.815～2.580nm的Si层厚度范围内， Si／SiO2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大，表现出明显的量子尺寸效应，这与实验以及其他理论计算结果一致；三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si／SiO2界面能隙中出现了缺陷态，费米能级向高能量方向移动，且带隙有微弱增加．光学性质计算结果表明：随着Si纳米层厚度的减小， Si／SiO2界面吸收系数产生了蓝移； O空位缺陷引入后，界面光学性质的变化主要集中在低能区，即低能区的吸收系数和光电导率显著增加．可见，改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si／SiO2界面体系的电子和光学性质，上述研究结果为Si／SiO2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据．