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氢化非晶硅（α-Si:H)的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用O.5MeV、注量1.3×10^20ecm^2的电子束辐照，α-Si转化为微晶硅，不稳定的弱Si－Si键因断裂而减少。α-Si光电池和相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构驰豫现象。
电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫
【摘 要】
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氢化非晶硅（α-Si:H)的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用O.5MeV、注量1.3×10^20ecm^2的电子束辐照，α-Si转化为微晶硅，不稳定的弱Si－Si键因断裂而减
【机 构】
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暨南大学电子工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年2期
【基金项目】
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国务院侨办重点学科科学基金资助项目
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