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采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度、轴向磁场强度以及晶体转速下的流动和传热所对应的晶体中的热应力分布,同时也考察了界面形状对应力的影响.
LEC法GaAs单晶生长中热应力分布研究
【摘 要】
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采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度、轴向磁场强度以及晶体转速下的流动和传热所对应
【机 构】
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重庆大学
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2005年4期
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