版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:scotty_zhao
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在商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性,辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前后对器件箩源漏极问泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特性进行测量,研究表明nMOS总剂量效应对器件的版图结构非常敏感,而pMOS的总剂量效应几乎不受版图结构的影响。
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