10keV B~+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mixcenter

【摘要】

：

<正> 一、问题的提出和实验方法在低能注入B+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×1015cm-2的Si29注入n-Si<100>进行非晶化处理。继

【作者】

：

卢志恒李素杰罗晏张朝明张荟星

【机构】

：

北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1988年04期

【关键词】

：

反型层沟道效应非晶化反向漏电流

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<正> 一、问题的提出和实验方法在低能注入B⁺浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B⁺注入的沟道效应,本文采用100keV下5×10¹⁵cm^-2的Si²⁹注入n-Si<100>进行非晶化处理。继而进行了10keV,1×10¹⁵cm^-2的B⁺注入形成浅结,然后对样品进行快速热退火（RTA）处理,并观察界面缺陷的

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