Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

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【摘要】

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由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/

【作者】

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肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平

【机构】

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中国科学院半导体研究所材料中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

INN RF-MBE XRD

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903和G20000683)、国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060)和国家自然科学基金(批准号:60136020和60137020)资助项目

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由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.

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