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给出了低电压微波SiGe功率导质结双极晶体管(HBT)的器件结构和测试结果,器件结构适于低压大电流状态下应用,采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V,在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功 以达到1.65W,具有8dB的增益,3V时可以达到最高收集极效率的67.8%。