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给出了低电压微波SiGe功率导质结双极晶体管（HBT）的器件结构和测试结果，器件结构适于低压大电流状态下应用，采用了梳状发射极条的横向版图设计，其工作电压为3－4V，在C类工作状态，1GHz的工作频率下，输出功 以达到1.65W，具有8dB的增益，3V时可以达到最高收集极效率的67．8％。
低电压C类SiGe微波功率导质结双极型晶体管
【摘 要】
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给出了低电压微波SiGe功率导质结双极晶体管（HBT）的器件结构和测试结果，器件结构适于低压大电流状态下应用，采用了梳状发射极条的横向版图设计，其工作电压为3－4V，在C类工作状态，1GHz
【机 构】
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清华大学电子所,信息产业部电子13所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 ,6 9476 0 39)~~
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