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研究了优等化离子体化气相学沉积法（PECVD）在太阳能级n型直拉单晶（Cz）硅衬底上沉积i-a-Si：H薄膜工艺，得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数，钝化后在太阳能级n型cz硅片（40x40mm）平均少子寿命值在800gs以上，局部在1500gs以上，得到了钝化后平均表面复合速率S〈9．4cm／s的优良钝化效果；若硅片τbulk为2ms，则S〈5．6cm／s。