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美国佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）王中林教授的研究小组利用感应耦合等离子（ICP）刻蚀发现了一种普适的制造高分子纳米线阵列制备的方法。在ICP刻蚀高分子材料的过程中，刻蚀离子周围圆锥状的有效作用范围和不均-表面的相互影响最终导致了高分子纳米线的形成。