【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃（SLG）上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu2SnS3（CTS）薄膜。主要研究不同的预退火温
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所及教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
【基金项目】
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西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心资助项目（053002050516009）, 国家自然科学基金资助项目（61167003）
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采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃（SLG）上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu2SnS3（CTS）薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜。利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行
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