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使用基于密度泛函理论的CASTEP软件计算了BAM：Eu^2＋（BaMgAl10O17：Eu^2＋）荧光粉在SiN掺杂前后的能带、态密度、吸收光谱和Mulliken布居．Eu^2＋处于BR位置光吸收更强；SiN掺杂使处于BR位置的Eu^2＋的数量上升，而处于mO位置的Eu^2＋的数量下降，抵消了SiN掺杂降低Eu的态密度对光谱的影响,所以适量掺杂的SiN提高了BAM：Eu^2＋荧光粉的吸收发射光谱强度,Si—N键和Eu—N键的Mulliken布居数分别高于Al—O键和Eu-O键，说明Si—N键和Eu—N键