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Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si（100）的实验得到凸出的n型Si（100）氧化物高度和偏置电压成线性关系，与针尖扫描速度成负对数关系，并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型，得到了合适的加工条件为偏压8V和扫描速度1μm／s。