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采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征。无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2%～10%条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4%时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度（ζ）与时间（t）的关系满足抛物线关系ζ^2=194t-955。