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带本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低,暗电导大,光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜,并通过分析薄膜的透射光谱,采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙,为约1.87eV.,衬底温度为180℃,放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳.