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Ｈ＋离子注入Ｓｉ片并经一定条件退火，可在Ｓｉ片中形成埋层微空腔层，结合Ｓｉ片键合技术，用智能剥离技术成功地制备了材料，并用扩展电阻（ＳＲＰ０、卢瑟福背散射（ＲＢＳ／Ｃ）和剖在透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）等初步分析了其结构和电学性质。
一种新的SOI制备技术：H^＋离子注入,键合和分离
【摘 要】
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Ｈ＋离子注入Ｓｉ片并经一定条件退火，可在Ｓｉ片中形成埋层微空腔层，结合Ｓｉ片键合技术，用智能剥离技术成功地制备了材料，并用扩展电阻（ＳＲＰ０、卢瑟福背散射（ＲＢＳ／Ｃ）和剖在透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）等初步分析了其结构和
【机 构】
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复理大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年9期
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