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分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路、烧结空隙、焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素。
半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性
【摘 要】
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分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所,信息产业部电子第十三研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2002年05期
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