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本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻流，提高了Ｓｐｉｎｄｔ型场发射冷阴极阵列的发射均匀性。
提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
【摘 要】
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本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻流，提高了Ｓｐｉｎｄｔ型场发射冷阴极阵列的发射均匀性。
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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