论文部分内容阅读
利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶ H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si∶H薄膜结构特性影响规律.结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜,有利于改善a-Si∶H薄膜结构特性;当离子源束流为5mA时,薄膜的结构特性最优,a-Si∶H薄膜在0.8 eV处的吸收系数、氢含量、微结构因子和光学带隙分别是0.7 cm-1、10.2%(原子比)、0.47和2.02 eV.表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜满足器件要求.