【摘 要】
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基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性.而半导体器件在反向电压作用下,会发生碰撞电离及雪崩击穿现象.采用多物
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基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性.而半导体器件在反向电压作用下,会发生碰撞电离及雪崩击穿现象.采用多物理场计算方法仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管的雪崩击穿现象,仿真结果与实验测量结果吻合,表明该算法能准确表征二极管物理特性,并对效应现象给出物理机理解释.
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